TSM4800N15CX6 RFG
/MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Trench, 150V, 1.4A
TSM4800N15CX6 RFG的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续漏极电流:1.4 A
Rds On-漏源导通电阻:392 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:8 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.1 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:Reel
晶体管类型:N-Channel Power MOSFET
商标:Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值:3.3 S
下降时间:18 ns
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
上升时间:18 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:9 ns
典型接通延迟时间:5 ns
TSM4800N15CX6 RFG
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
TSM4800N15CX6 RFG | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Trench, 150V, 1.4A | Taiwan Semiconductor |  | 341.83 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
TSM4800N15CX6 RFG的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM4800N15CX6 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Trench, 150V, 1.4A | 1:¥5.1528 10:¥4.3844 100:¥3.277 500:¥2.4069 3,000:¥1.6498 6,000:查看
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