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TSM4800N15CX6 RFG /MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Trench, 150V, 1.4A
TSM4800N15CX6 RFG的规格信息
TSM4800N15CX6 RFG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:392 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:N-Channel Power MOSFET

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:3.3 S

下降时间:18 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:9 ns

典型接通延迟时间:5 ns

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TSM4800N15CX6 RFGMOSFET MOSFET, Single, N-Ch Trench, 150V, 1.4ATaiwan SemiconductorTaiwan Semiconductor的LOGO341.83 Kbytes共6页TSM4800N15CX6 RFG的PDF下载地址
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